Design of a Voltage-Controlled Magnetic Random Access Memory Based on Anisotropic Magnetoresistance in a Single Magnetic Layer

Jia-Mian Hu; Zheng Li; Long-Qing Chen; Ce-Wen Nan

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Design of a Voltage-Controlled Magnetic Random Access Memory Based on Anisotropic Magnetoresistance in a Single Magnetic Layer

机译：单磁层中基于各向异性磁阻的压控磁随机存取存储器的设计

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Magnetoresistive random access memory (MRAM) devices'11 have offered promising application potential as next-generation non-volatile integrated memories. In MRAM, electric current is employed to switch the magnetization in a magnetic-free layer, where overheating due to a large electric current required for writing is a major barrier limiting their further miniaturization. In addition, such a switching process is slow and power consuming.

机译：磁阻随机存取存储器（MRAM）器件11作为下一代非易失性集成存储器具有广阔的应用前景。在MRAM中，采用电流来切换无磁性层中的磁化，其中由于写入所需的大电流而导致的过热是限制其进一步小型化的主要障碍。另外，这种切换过程缓慢且耗电。

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来源
《Advanced Materials》 |2012年第21期|p.2869-2873|共5页
作者
Jia-Mian Hu; Zheng Li; Long-Qing Chen; Ce-Wen Nan;
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作者单位

State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing and Department of Materials Science and Engineering Tsinghua University Beijing 100084, China;

State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing and Department of Materials Science and Engineering Tsinghua University Beijing 100084, China;

Department of Materials Science and Engineering Pennsylvania State University University Park, PA, 16802, USA;

State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing and Department of Materials Science and Engineering Tsinghua University Beijing 100084, China;

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