机译:迷宫诱导的多面电化学生长
Department of Physics University of Cambridge J. J. Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0HE, UK;
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机译:阳离子控制的β
机译:六方圆柱形LiCoO2晶体被锂离子导电优先刻面包围的通量生长及其电化学性能的单颗粒测量
机译:Pb台面生长中的平面,台阶边缘,刻面和刻面扩散障碍
机译:SiC槽围攻散装生长的增长条件和原位计算断层扫描分析
机译:方面控制合成超晶格纳米材料的空位和电化学应用的作用
机译:Co3O4纳米晶对重金属离子的刻面相关电化学性能
机译:二氧化碳减少:铜方面之间的原子尺度间距,用于电化学减少二氧化碳(ADV。能源母体。10/2020)