机译:用于VLSI应用的基于TEOS的二氧化硅PECVD
Department of Physics and Meteorology, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721302, India;
TEOS; silicon dioxide; PECVD; microwave plasma; thin films;
机译:通过ECR-PECVD,TEOS-PECVD和Vapox-APCVD沉积的二氧化硅膜的比较分析
机译:使用远程PECVD氮化硅和多孔二氧化硅为平面硅太阳能电池优化抗反射涂层
机译:使用二氧化硅和PECVD氧氮化硅叠层N型C-Si太阳能电池硼发射器的表面钝化
机译:使用二氧化钛和二氧化硅由PECVD制造的多层和不均匀的光学过滤器
机译:增强对PECVD氮化硅特性的了解和控制及其在多晶硅太阳能电池中的应用
机译:青色传感器应用中多孔硅基板上MAPbI3钙钛矿/二氧化钛异质结构的光电性能
机译:适用于高效硅太阳能电池应用的多功能ICP-PECVD氮化硅层
机译:用于mEms应用的pECVD二氧化硅(siO2)层的反应离子蚀刻