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机译:Cu,Ag / Ta2O5界面的氧化还原反应及Ta2O5膜密度对原子开关结构形成过程的影响
Japan Sci & Technol Agcy JST, Core Res Evolut Sci & Technol, Chiyoda Ku, Tokyo 1020075, Japan.;
Rhein Westfal TH Aachen, Inst Werkstoffe Elektroteckn 2, D-52074 Aachen, Germany.;
Rhein Westfal TH Aachen, Inst Werkstoffe Elektroteckn 2, D-52074 Aachen, Germany.;
Rhein Westfal TH Aachen, Inst Werkstoffe Elektroteckn 2, D-52074 Aachen, Germany.;
Japan Sci & Technol Agcy JST, Core Res Evolut Sci & Technol, Chiyoda Ku, Tokyo 1020075, Japan.;
Rhein Westfal TH Aachen, Inst Werkstoffe Elektroteckn 2, D-52074 Aachen, Germany.;
Natl Inst Mat Sci, Int Ctr Mat Nanoarchitecton WPI MANA, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan.;
electrochemical metallization cells; film density; gapless-type atomic switch; oxides; redox reaction;
机译:湿度对Cu / Ta2O5 / Pt原子开关结构中氧化还原反应和离子迁移的影响
机译:Cu / Ta2O5 / Pt电阻开关的界面结构:第一性原理研究
机译:NH3对Ra2O5表面改性对Ru-络合物/ NAT2O5杂交光催化剂选择性CO2减少的电子结构的影响
机译:用于非易失性存储器应用的Pt / Ta2O5 / TiN结构的电阻切换
机译:原子界面对氧化物异质结构的电子,磁性和开关性质的作用。
机译:水分对Cu离子在Cu / Ta2O5 / Pt和Cu / SiO2 / Pt电阻开关中扩散的影响:第一性原理研究
机译:TiO2 / Ti4O7,Ta2O5 / TaO2界面及其电子结构 掺杂剂的界面效应
机译:熔融加工的YBa2Cu3O7中的基板反应和助焊剂钉扎结构沉积在ag-pd合金基底上