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机译:衬底温度对电子束蒸发技术制备的纳米晶硒化镉薄膜的结构和光学性能的影响
Department of Physics, Loyola Institute of Technology & Science, Tamilnadu, India;
Department of Physics, Karunya University, Coimbatore - 641114, India;
School of Advanced Materials Engineering,Chonbuk National University,South Korea;
Department of Physics, Kongunadu College of Arts & Science, Coimbatore, India;
Department of Physics, SRMV College of Arts & Science, Coimbatore - 641020, India;
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC); Ⅱ-Ⅵ semiconductors;
机译:衬底温度对电子束蒸发法制备碲化铜薄膜的结构,形态,光学和电学性质的影响
机译:电子束蒸发技术制备的ZnSe薄膜的基体温度相关结构和光学性质
机译:热处理对电子束蒸发制备的室温下在玻璃上生长的纳米ITO薄膜结构,电学,阻抗和光学性能的影响
机译:通过电子束蒸发技术制备镓掺杂氧化锌薄膜的结构,电气和光学性质
机译:通过热线和ECR-等离子CVD技术制备的纳米晶硅薄膜太阳能电池的结构和电子性能。
机译:沉积温度对化学制备纳米晶硒化铅薄膜的结构和光学性能的影响
机译:衬底温度对电子束蒸发沉积纳米CdTe薄膜的结构和光学性能的影响