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Transmission Through Graphene Junctions with Rashba Spin-Orbit Coupling

机译:通过具有Rashba自旋轨道耦合的石墨烯结进行传输

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摘要

Electronic transport in a graphene junction is considered theoretically. Graphene is assumed to be deposited on a substrate which generates Rashba spin-orbit coupling. However, the Rashba parameters in the two parts of the junction are assumed to be generally different. Additionally, different gate voltages are applied to the two parts, which allow tuning the Fermi level and potential step. We analyze the probabilities of electron transmission through the junction and electrical conductance in the linear response regime.
机译:从理论上考虑了石墨烯结中的电子传输。假定石墨烯沉积在产生Rashba自旋轨道耦合的基底上。但是,假定结的两个部分中的Rashba参数通常不同。此外,将不同的栅极电压施加到两个部分,从而可以调节费米能级和电势阶跃。我们分析了在线性响应范围内电子通过结传输的可能性和电导率。

著录项

  • 来源
    《Acta Physica Polonica》 |2015年第2期|481-483|共3页
  • 作者

    Rataj M.; Barnas J.;

  • 作者单位

    Adam Mickiewicz Univ, Fac Phys, PL-61614 Poznan, Poland|Nanobiomed Ctr, PL-61614 Poznan, Poland;

    Adam Mickiewicz Univ, Fac Phys, PL-61614 Poznan, Poland;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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