in-plane nanowire; site-controlled; epitaxial growth; silicon; germanium; nanowire-based quantum devices;
机译:使用(001)-LaAlO_3和(001)-SRTIO_3底物的Lu2MnNiO_6的有序和无序外延薄膜的生长:观察六个单斜面的平面双变体和玻璃磁性行为
机译:自组装的ge纳米线在硅衬底上通过聚焦离子束构图的面外延生长
机译:硅纳米线的平面外延生长和Si(100)衬底上的结形成
机译:外延反应溅射(001)α'和α“氮马氏体薄膜的生长使用(001)硅
机译:利用金催化的气液固机理生长外延硅和锗纳米线。
机译:催化剂表面润湿性分析:外延锗纳米线生长的早期阶段
机译:极性驱动GaAs(001)衬底上独立和横向GaAsP外延纳米线的同时生长
机译:部分离子束沉积技术低温外延生长CoGe(001)/ Gaas(100)薄膜