GaN; AlN; wurtzite; body-centered-tetragonal phase;
机译:通过等离子体辅助分子束外延(MBE)制备的硅衬底上的AlN / GaN和AlN / AlGaN / GaN薄膜的结构和光学性质
机译:在InAlN / AlN / GaN异质结构上通过原子层沉积法生长的VO2薄膜的局部相变
机译:在具有AlN缓冲子层的Si(111)衬底上的氢化物-氯化物系统中通过气相外延生长的GaN薄膜
机译:稀释剂对α(6H)-SIC基底上的金属蒸汽相外延生长的AlN和GaN薄膜性能的稀释剂
机译:AlN,GaN及其合金的金属有机气相沉积。
机译:通过HR-TEMXRD和慢正电子实验确定GaN / AlN / Si异质结构中GaN膜的缺陷结构
机译:纤锌矿结构系统AlN–GaN,GaN–InN和AlN–InN的第一原理相图计算
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)