n-type GaN; p-type GaN; biosensor; chemical functionalization; protein adsorption; self-assembled monolayer;
机译:C掺杂GaN缓冲液中表面形态和C浓度对自支撑GaN衬底上AlGaN / GaN HEMT击穿电压的影响
机译:掺杂层浓度对对称Al_xGa_(1-x)N / GaN双量子阱中电子跃迁的影响
机译:在GaN平面和GaN三角棱镜的晶面上生长的InGaN / GaN量子阱中,激子本地化与成分波动相关
机译:In
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:电子迁移率在无意中掺杂的GaN / AlGaN表面量子阱
机译:GaN表面胺基的形成:直接生物功能化的方法