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Electron cotunneling through doubly occupied quantum dots: effect of spin configuration

机译:电子通过双倍占据的量子点共同隧穿:自旋结构的影响

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摘要

A microscopic theory is presented for electron cotunneling through doubly occupied quantum dots in the Coulomb blockade regime. Beyond the semiclassic framework of phenomenological models, a fully quantum mechanical solution for cotunneling of electrons through a one-dimensional quantum dot is obtained using a quantum transmitting boundary method without any fitting parameters. It is revealed that the cotunneling conductance exhibits strong dependence on the spin configuration of the electrons confined inside the dot. Especially for the triplet configuration, the conductance shows an obvious deviation from the well-known quadratic dependence on the applied bias voltage. Furthermore, it is found that the cotunneling conductance reveals more sensitive dependence on the barrier width than the height.
机译:提出了一种微观理论,用于通过电子在Coulomb封锁机制中通过双重占据的量子点进行隧穿。除了现象学模型的半经典框架之外,使用没有任何拟合参数的量子传输边界方法,可以获得通过一维量子点电子共同隧穿的全量子力学解决方案。结果表明,共隧穿电导对被限制在点内的电子的自旋构型表现出强烈的依赖性​​。特别是对于三重态配置,电导显示出明显不同于众所周知的对所施加偏置电压的二次依赖性。此外,发现共隧穿电导显示出比高度更敏感的对势垒宽度的依赖性。

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