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袁瑞玚; 王如志; 段志强; 王波; 严辉;
北京工业大学薄膜材料研究室;
尺度效应; 自旋输运; 隧穿电导; 磁量子结构;
机译:各向异性平行Si / si_(1-x)ge_x / si异质结构中具有平行纳米管动能耦合效应的纳米Si / si_(1-x)ge_x / si异质结构中的隧穿电流模型
机译:具有非晶态CoFeSiB的合成反铁磁自由层的MTJ的磁化开关和隧穿磁阻效应
机译:非晶态NiFeSiB组成的合成反铁磁自由层的磁化转换和隧穿磁阻效应
机译:基于INAS / ALSB / GASB的谐振基间隧穿结构的磁隧穿工艺研究
机译:双势垒隧穿结中纳米结构的原子尺度理解:部分氧化的铝化镍上碱掺杂的buckminsterfullerenes的扫描隧穿显微镜(110)。
机译:自旋极化隧穿探测稀土原子与铁岛之间的反铁磁自旋耦合
机译:交流驱动谐振隧穿双屏障结构中的量子噪声: 光子辅助隧穿与电子反聚束
机译:Inas / Gasb / alsb共振隧穿结构中自旋极化效应的理论分析
机译:用于CMOS结构的CMOS TFET N P TFET隧穿场效应晶体管TFET及其制造N型和P型TFET的方法
机译:具有水平源极和漏极的垂直隧穿场效应晶体管的结构和方法
机译:具有半导体鳍片结构的隧穿场效应晶体管(TFET)
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