Hf0.5Zr0.5O2 Ru Ferroelectricity Phase transition;
机译:基于MOS2的铁电场 - 效应晶体管,原子层沉积HF0.5ZR0.5O2薄膜朝向存储器应用
机译:使用铁电HF0.5 ZR0.5O2薄膜改善金属铁电 - 绝缘体 - 半导体电容器非易失性存储器特性的设计策略
机译:底电极对外延HF0.5ZR0.5O2薄膜铁电性的临界作用
机译:HF0.5ZR0.5O2薄膜的结构分析通过热退火在500℃以下从无定形相结晶的薄膜
机译:基于铁电Langmuir-Blodgett聚偏二氟乙烯共聚物薄膜的金属-铁电绝缘体-半导体结构的表征,用于无损随机存取存储器。
机译:四(乙基甲基氨基)和四(二甲基氨基)前体在原子层沉积Hf0.5Zr0.5O2薄膜中铁电性能的比较研究
机译:原子层沉积Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜的感应结晶作用
机译:铁电薄膜和微晶玻璃的晶化和微观结构控制