GaTe/C2N Heterostructure Density functional theory Strains Multifunctional devices;
机译:垂直应变和电场可调电子特性 - II型带对准C2N / Inse Van der Waals异质结构
机译:蓝磷-Wx_2(X = S / SE / TE)垂直异质结构的应变可调带对准:从第一原理研究
机译:通过第一原理计算预测C2N /石墨烯的结构和电子性质
机译:从第一原理计算中掺杂的高k栅极氧化物的电子特性控制
机译:能源应用材料的电子,光学和传输性质的第一性原理计算。
机译:III族单硫族化物的电子性质和能带排列的第一性原理研究
机译:应变可调电子特性和栅极/ C2N异质结构中的带对齐:第一原理计算
机译:用于密度泛函理论(DFT)的单位晶胞的计算方法计算二维纳米片的异质结构的电子能带结构。