机译:在存储耗尽期间PI(45)P2贫乏和PI(45)P2富微区之间的易位确定STIM1构象和Orai1门控
机译:在存储耗尽期间,PI(4,5)P-2-poor和PI(4,5)P-2-poor微域之间的易位确定STIM1构象和Orai1门控
机译:缺乏PI(4,5)P 2 sub>和富含PI(4,5)P 2 sub>的微域之间的易位决定了STIM1构象和Orai1门控
机译:缺乏PI(4,5)P 2 sub>和富含PI(4,5)P 2 sub>的微域之间的易位决定了STIM1构象和Orai1门控
机译:0.525 / spl mu / m / sup 2 / 6T-SRAM位单元,使用45nm完全耗尽的SOI CMOS技术,在300mm晶圆上具有金属栅极,高k介电层和升高的源极/漏极
机译:语言学习者以及阅读能力和社会经济不平等对科学和数学成就的影响:跨45个国家/地区的PISA的区分功能分析和差异项功能(项偏差)研究。
机译:ATP耗竭诱导STIM1易位至点状并形成STIM1-ORAI1簇:STIM1易位和再易位不需要ATP
机译:存储耗尽期间PI(4,5)P2贫乏和PI(4,5)P2富微区之间的易位确定了Orai1的STIM1构象和门控