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Isotopically enhanced triple-quantum-dot qubit

机译:同位素增强的三量子点量子比特

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摘要

Like modern microprocessors today, future processors of quantum information may be implemented using all-electrical control of silicon-based devices. A semiconductor spin qubit may be controlled without the use of magnetic fields by using three electrons in three tunnel-coupled quantum dots. Triple dots have previously been implemented in GaAs, but this material suffers from intrinsic nuclear magnetic noise. Reduction of this noise is possible by fabricating devices using isotopically purified silicon. We demonstrate universal coherent control of a triple-quantum-dot qubit implemented in an isotopically enhanced Si/SiGe heterostructure. Composite pulses are used to implement spin-echo type sequences, and differential charge sensing enables single-shot state readout. These experiments demonstrate sufficient control with sufficiently low noise to enable the long pulse sequences required for exchange-only two-qubit logic and randomized benchmarking.
机译:像今天的现代微处理器一样,可以使用基于硅的设备的全电控制来实现未来的量子信息处理器。通过在三个与隧道耦合的量子点中使用三个电子,可以在不使用磁场的情况下控制半导体自旋量子比特。以前在GaAs中实现了三点,但是这种材料会遭受固有的核磁噪声。通过使用同位素纯化的硅制造器件,可以降低这种噪声。我们展示了在同位素增强的Si / SiGe异质结构中实现的三量子点量子位的通用相干控制。复合脉冲用于实现自旋回波类型序列,差分电荷感测可实现单脉冲状态读出。这些实验证明了具有足够低噪声的充分控制,以实现仅交换两个量子位逻辑和随机基准测试所需的长脉冲序列。

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