机译:无需复杂光刻即可获得10至50 nm长的准弹道碳纳米管器件
机译:利用纳米球光刻技术生长碳纳米管阵列及其在场发射器件中的应用
机译:纳米压印光刻技术制备用于场发射和传感器设备的碳纳米管阵列
机译:使用基于碳纳米管的新型光刻技术制造的纳米级MOSFET器件
机译:研究类金刚石碳作为纳米压印光刻的模板,并作为垂直排列的碳纳米管森林的填充材料。
机译:电流密度超过Si和GaAs的准弹道碳纳米管阵列晶体管
机译:无需复杂光刻即可获得10至50 nm长的准弹道碳纳米管器件
机译:电流密度超过si和Gaas的准弹道碳纳米管阵列晶体管。