semiconductor plasmonics semiconductor heterojunctions plasmonic waveguide p–n junction;
机译:具有不同i-AIGaAs间隔层厚度的GaAs-AIGaAs调制掺杂异质结构的THz发射和结电场的温度依赖性
机译:具有金属/半导体和金属-氧化物-半导体结的量子尺寸InGaAs / GaAs结构的注入电致发光
机译:II-VI半导体在THz区域的回旋共振
机译:基于JosephseN结合的THz振荡器与THZ源反向波振荡器和半导体频率倍增器的比较审查研究
机译:GaAs(001)表面的光学性质的理论分析和半导体的应变依赖性晶格特性
机译:基于边缘金属-半导体-金属结的高灵敏度薄膜太赫兹检测器
机译:直接和声子辅助隧道效应的理论研究 InalGaas-InGaas体和量子阱带间隧道结中的电流 用于多结太阳能电池
机译:应变III-V半导体中空穴传输的理论研究:在Gaas中的应用