机译:醇厚的写入:通过选择性的缓慢写回来延长电阻式存储器的寿命
机译:存取时间缩短39%,能耗降低11%,32 kbit 1读/ 1写2端口静态随机存取存储器,采用两级读增强和读感应方案后的写升压
机译:接近阈值的7T SRAM单元,具有亚20纳米FinFET技术的高读写容限和低写入时间
机译:基于ReRAM的单NVM非易失性触发器,通过针对物联网时代的非易失性处理器使用自写终止方案,减少了应力时间和写功率,从而避免了写时的广泛分布
机译:找时间写作:《弗拉维安·罗马》的文学志愿与时间经济
机译:基于石墨烯量子点纳米复合材料的一维至一维忆阻器件高度稳定的一次写入多次读取切换行为
机译:基于P-SI的ZnO的写入次数读取多次内存,用于长时间存档存储