基于IPD宽带的大功率内匹配功率管设计

摘要

文章研究了匹配电路的带宽影响因素,基于GaAs芯片工艺,设计了宽带匹配的IPD,实现了GaN功率HEMT为300～2000 MHz,连续波输出功率为10 W的电路设计,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.器件尺寸小,带宽宽,充分显示了IPD在宽带电路设计中的应用.