纳米硅/氧化硅多层膜的电性能及结构研究

摘要

用真空蒸发技术和自然氧化法在玻璃衬底上制备纳米级的硅/氧化硅薄膜和多层膜。本文采用三点法测定了常温、低温下的U-I特性,发现常温、低温下纳米量级的硅/氧化硅多层膜具有类似负阻的特性。SEM检测表明,硅/氧化硅多层膜的厚度和称重法所估算的厚度相符,薄膜表面均匀。TEM和XRD观察表明薄膜主要以无序状态存在,局部有晶化现象。