超高真空退火及X射线辐照对多孔硅发光膜的影响

摘要

研究Ｘ射线及超高真空退火对发光多孔硅膜发光特性的影响。通过光电子谱原位检测分析，发现Ｘ射线辐照及真空退火均可使发光多孔硅膜失去发光能力，同时伴随着Ｓｉ２ｐ光电子峰高结合能部分有较大的下降。根据实验结果认为：发光多孔硅中的发光物质为含氟缺氧的二氧化硅。