场致发射微型阴极阵列结构的研究

摘要

本文采用考虑空间电荷影响的空间电场计算程序，对场致发射体进行模拟计算；初步研究了发射体的几何形状尺寸与其发射特性之间的联系。通过计算分析，可以认为发射体的尖端曲率半径及栅极的开口直径是影响发射体发射特性的最主要的因素。合肥国家同步辐射实验室的ＬＩＧＡ 深度光刻技术，能给出一个可行的几何结构。计算表明点阵密度为１０７／ｃｍ ２ 的直径为６ ｍ ｍ 的硅发射体发射阵列，在８０ Ｖ 的栅极电压下可以取得１０ Ａ