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姚剑峰; 陈旭; 江剑平; 李季; 高玉娟; 阎肃秋; 陈其略;
清华大学电子工程系,北京,100084;
北京真空电子技术研究所,北京,100016;
六硼化镧阴极; 单晶; 多晶; 发射性能;
机译:LaB6单晶阴极的热电子发射特性
机译:电化学刻蚀法制备的单晶LaB6场致发射体的场发射特性
机译:晶粒尺寸可控的LaB6多晶阴极材料的制备与表征
机译:单晶LaB6阴极光学图像与发射图像之间的相关性
机译:单晶氧化铜的光电阈值,工作功能和本体费米能级的研究,以及单晶和多晶氧化铜-铜接触的光电特性。
机译:预裂单晶/多晶石墨烯片断裂性能的数值研究
机译:纳米多晶脉冲激光沉积LaB6薄膜和单晶的电子结构:硼的观点
机译:用于高频后向波振荡管的单晶LaB6阴极的评价
机译:具有增强的二次电子发射性能和装置的包含MGO和LAB6的等离子体显示板的保护膜和形成所述膜的方法
机译:具有单晶或优选取向的多晶发射极或绝缘层的场发射元件
机译:制造场致发射阴极的阵列的方法单晶硅单晶硅
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