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六硼化镧薄膜的制备及发射特性的研究

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摘要

用阴极电泳的方法在Re衬底上制备了LaB6薄膜,用扫描电镜、X射线光电子能谱对样品的表面状况、化学组分进行了分析.经过真空烧结,采用真空热电子发射法测出了LaB6薄膜的逸出功.使用Richardson直线法测量薄膜的逸出功为2.56 eV,具有良好的电子发射性能.

著录项

来源
《真空电子技术》 |2007年第5期|44-47|共4页
作者
朱炳金; 陈泽祥; 张强;
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作者单位

电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;

电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;

电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
LaB6薄膜; 真空烧结; 电泳; 热发射; 逸出功;

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