逸出功

摘要： 为了提高Y-Gd-Hf-O阴极耐电子轰击能力,该文通过高能球磨、压制和高温氢气烧结,制备了一种Sc_(2)O_(3)掺杂Y-Gd-Hf-O压制式直热式阴极。该阴极在1550°C工作温度下,经过10 W电子连续轰击480 h后,发射电流密度下降至初始值的87.5%,表现出良好的耐电子轰击能力。阴极表面的微观形貌、成分组成分析表明,经压制后氢气气氛烧结,阴极表面呈陶瓷状结构形态,有利于提高阴极的耐电子轰击能力;经高温烧结、激活后表面形成了n型半导体Y_(2)O_(3-x)层,对改善阴极表面导电性、降低逸出功和提高热发射有促进作用。

摘要： "光的粒子性"是波粒二象性一章中至关重要的一节内容,是选考中的一个重要知识点,也是学生理解较为困难的一个知识点,对于如何更好地开展这节内容的教学,笔者试着从实验教具的改进、教学内容顺序的重新调整等方面做了一番思考.

摘要： 为加快学生的实验进程,减少教师快速检验实验结果正确性的难度和工作量,针对大学物理实验,提出一种"一键"处理实验数据的新方法—基于Excel中的"宏"编写算法.以测量数据较多的直流电桥测电阻和金属电子逸出功测量两个实验为例,给出程序编写流程、代码和演示界面等.该方法将大学物理实验与编程相结合,简便易行,可供多人、多个实验同时一次性处理大量测试数据.既能保证计算结果的准确性,又节约了师生的时间.在当今大数据时代,具有较广的应用范围和较强的推广价值.

摘要： 一、''五''——弄清五个概念1.光子及光子的能量(1)光子是指在空间传播的光束能量的最小单位,它是不可分割的一份能量(即能量是不连续的),光子不带电,是微观领域中一种只含有能量的粒子。

摘要： 在微通道板输出端镀制一层逸出功更高的金属膜以覆盖原有的镍铬电极,从而减小微通道板输出电子的动能以及在荧光屏上的弥散,提高微通道板的分辨力.实验结果表明,在微通道板的输出端镀制一层20 nm厚的银层(逸出功为4.3 eV)后,微光像增强器的分辨力从60 lp/mm提高到64 lp/mm,提高了6.6%;而镀制一层20 nm厚的铂层(逸出功为6.4 eV)后,超二代像增强器的分辨力从60 lp/mm提高到68 lp/mm,提高13%.在分辨力提高的同时,微通道板的增益会下降,镀银和镀铂后的微通道板,增益分别下降到原有值的74%和33%.金属膜的逸出功越高,分辨力提高的百分比越高,增益下降的百分比也越高.所以采用该方法来提高微通道板分辨力时,需要采用高增益的微通道板,从而使微通道板的增益下降以后仍能满足使用要求.

摘要： 采用蒸镀法,分别通过单次蒸Na和多次蒸Na两种工艺制备了一系列未经激活的Na2KSb基底层,并通过3种不同的Cs-O激活方式对其进行表面激活,然后分别与未激活、仅Cs激活以及传统Cs-Sb激活的样品进行对比.积分灵敏度和光谱响应曲线测试结果表明,与未激活的Na2KSb光电阴极相比,所有经过Cs-O激活的光电阴极的灵敏度和长波阈值都得到了一定程度的提高和拓展,而且采用单次蒸Na工艺制作样品的积分灵敏度明显高于多次蒸Na工艺.对于单次蒸Na工艺制备的光电阴极,采用Cs-O+Cs-Sb激活能够获得较高的灵敏度和较宽的光谱响应范围.在该条件下,Cs-O激活次数存在一个最佳值,当单次蒸O量为50％时,Cs-O激活最佳次数为2次,此时样品的积分灵敏度与未激活的Na2KSb光电阴极相比提高了45.9倍,长波阈值向长波方向拓展了231 nm,逸出功降低了0.46eV,而且工作寿命和EBI(Equivalent background illumination)测试结果表明该样品具有比传统Cs-Sb更好的稳定性和更低的背景噪声.逸出功计算结果表明,表面激活以后样品长波阈值的拓展可以归因于阴极材料逸出功的降低.

摘要： 采用区域熔炼法制备了大尺寸、高质量多元稀土六硼化物 La0.2Ce0.8B6单晶体.结合 X射线劳埃定向法对(110)和(310)晶面进行了定向,并系统研究了热发射性能.结果表明,当阴极温度为1673,1773和1873 K时(110)和(310)晶面最大电流密度分别为3.60,7.73,12.44 A/cm2和3.25,11.67,16.93 A/cm2.表明晶面间发射性能存在"各向异性"的特点.不同发射温度下的(110)和(310)晶面平均有效逸出功分别为2.85和2.80 eV,表明单晶La0.2Ce0.8B6具有良好的热发射性能.%The multiple rare-earth hexaboride La0.2Ce0.8B6single crystal with large size and high quality has been fabricated by the floating zone method.The (110)and (310)crystal surfaces of La0.2Ce0.8B6are oriented by the X-ray Laue diffraction method and their thermionic emissions properties are measured.The results show that the maximum emission current densities of the(110)and(310)crystal surfaces at 1 673,1 773 and 1 873 K are 3.60,7.73,12.44 A/cm2and 3.25,11.67,16.93 A/cm2,respectively.It means that the thermionic emission is strongly anisotropic for the different crystal surfaces.The average value of effective work functions of(1 1 0)and (310)crystal surfaces at different temperatures are calculated to be 2.85 eV and 2.80 eV,indicating an excellent thermionic emission properties of La0.2Ce0.8B6single crystal.

摘要： 研究了外光电效应实验中表层和深层电子逸出功的实验数据,计算了金属表层电子和相对深层电子的逸出功,并应用经典动力学理论和晶格散射理论对结论进行分析.

摘要： Space travelling wave tube (STWT)with long life plays an important role on the power amplifier for satellite communication system. The life of the STWT is mainly restricted by the cathode life. In order to ensure that the STWT can have a long in-orbit operating time, it is necessary to carry out plenty experimental researches on the life of STWT cathode,and to predict the life of the STWT cathode.The accumulating life-test time is 1823080 hours for 50 electron guns,the longest life-test time is over 65411 hours.The life prediction model was built on the basis of the change of the work function during the life time.The predicting life is more than 43 years when the cathode is drawn a current density of 1 A/cm2 at 960°Cb (°Cb:brightness temperature), it is more than 22 years at 980°Cb,and it is more than 15 years at 1000°Cb.The predicting life shows that the long life STWT cathode can meet the requirements of the satellite communication system.%空间行波管是卫星通信系统中最重要的功率放大器,必须具有较长的工作寿命.空间行波管的寿命主要受阴极寿命的制约,因此为了保证空间行波管的长期在轨工作,需要开展大量的阴极寿命试验研究,并对阴极寿命进行预测.共投入50支电子枪进行寿命试验,累计进行寿命试验1823080 h,最长单管寿命试验时间65411 h.基于寿命过程中的逸出功变化,建立了空间行波管阴极寿命预测模型.预测空间行波管阴极在960°Cb(°Cb为亮度温度)支取1 A/cm2发射电流密度时寿命超过43年;在980°Cb支取1 A/cm2时寿命超过22年;在1000°Cb支取1 A/cm2时寿命超过15年.预测结果表明,空间行波管阴极可以满足卫星通信系统应用的长寿命要求.

摘要： 作者利用FEM对单壁碳纳米管在热处理后场发射特性进行了测量,确定了清洁单壁碳纳米管的逸出功,观测了场发射图像的变化.利用四极质谱计进行了热处理过程中的残气分析.

摘要： 本文利用等离子喷涂技术,并在镍过渡层和涂层中加入少量的钪,研制出了一种新型的高发射氧化物阴极.结果显示这种新型阴极在850°C,1μs脉宽时,其发射电流密度可达107.8A/cm2;新型氧化物阴极电子发射密度大而且均匀,逸出功分布在1.52-1.58eV之间占到80％.

摘要： 本文在超高真空环境下通过高温处理在金属钨针尖上形成了碳化钨薄膜,对其场发射特性进行了测量,并估算了其逸出功.

摘要： 在10＜＇-15＞乇真空条件下，对ZrO/W（多晶）的逸出功Φ和发射常数A进行了测量。实验结果Φ为3.05eV，A为1.16×＜＇-2＞（安/厘米＜＇-2＞·度＜＇-2＞），表明用多晶钨代替单晶钨，也能得到很低的逸出功值，其应用价值是好的。

摘要： 本发明属于材料逸出功测量阴极电子学技术领域，提供了一种基于发射探针技术的材料逸出功测量方法及装置，包括发射探针、真空腔以及样品支撑平台，所述发射探针通过三维驱动器固定在真空腔的内部；所述样品支撑平台固定在真空腔内部；所述发射探针位于样品支撑平台的一侧，用于检测样品支撑平台上的放置的待测样品；在测量固体材料的逸出功时，不需要对待测材料进行加热或者是对其施加外电场，对待测材料的形状和尺寸大小没有特殊要求，通过发射探针灯丝在不同位置、先后测得的两条发射探针伏安特性曲线的位移之差给出固体材料的逸出功测量结果，所获得的逸出功测量结果能够真实反应材料表面的实际情况。

摘要： 本发明公开了一种逸出功的测量方法及装置。所述逸出功的测量方法包括：分别获取波长为λ1、λ2……λn的同类单色光的光子数Np1、Np2……Npn；分别获取波长为λ1、λ2……λn的同类单色光作用于待测样品上后产生的光电子数Ne1、Ne2……Nen；根据所述光子数Np1、Np2……Npn以及所述光电子数Ne1、Ne2……Nen，获得所述待测样品的材料的逸出功；其中，n≥3，且n为正整数。本发明实施例提供的技术方案，实现了材料逃逸出功的低成本、低难度、高效率、高稳定性和高准确性的测量。

摘要： 装置包括：在衬底上的非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上的栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道材料上和阻挡材料上。方法包括：在衬底上形成非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上形成栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道上和阻挡材料上。

摘要： 本发明涉及电极材料领域，具体涉及一种低逸出功阴极，固定在基底上，包括阴极本体1和固定杆2，所述固定杆2顶端与阴极本体1固定连接，所述阴极本体1由钨构成，所述固定杆2由SiC构成；本发明结构简单，其中固定杆具备低逸出功、耐高温和不易形变的特点，具备稳定性，同时钨制成的阴极本体也具备耐高温性，使整个低逸出功阴极结构稳定。

摘要： 本发明涉及超低逸出功材料技术领域，具体涉及一种具有超低逸出功的阳极及其制备方法，其特征在于具有超低逸出功的阳极包括单晶硅层、HfO

摘要： 本实用新型公开了一种逸出功的测量装置。逸出功的测量装置包括样品室、光源、光调节部件、样品台、光电倍增管、光路控制部件、第一电流检测部件、光电流采集部件、第二电流检测部件以及主控部件，其中，样品台、光电倍增管、光路控制部件以及光电流采集部件位于样品室内；光源、光调节部件、第一电流检测部件、第二电流检测部件以及主控部件位于样品室外。本发明实施例提供的技术方案，降低了测量成本、简化了测量过程、缩短了测量时长，并提高了测量过程的稳定性及测量结果的准确性。

摘要： 本实用新型一种弗兰克‑赫兹实验及金属逸出功实验综合电路的供电电路，供电电路包括振荡信号源、功放功率输出单元、变压器电压变换单元和变压器输出电路；振荡信号源，由运算放大器构成文氏振荡电路，输出频率22kHz的正弦信号，以驱动后级的功放电路工作；供电功率输出电路，由功率运算放大器TDA2030构成桥接输出放大电路，将前级送入的22kHz信号放大为满电源电压的正弦信号，以提供给变压器作为输入电压；变压器电压变换电路，将22kHz的功率正弦电压，变压为所需要的多路正弦电压输出；变压器输出电路包括三个绕组，以提供三个功能的电路供电，信号在转换过程中，均工作在线性状态，对于电路中其他的弱信号及微小信号的采集放大，不会产生任何干扰。

摘要： 本实用新型涉及电极材料领域，具体涉及一种低逸出功阴极，固定在基底上，包括阴极本体1和固定杆2，所述固定杆2顶端与阴极本体1固定连接，所述阴极本体1由钨构成，所述固定杆2由SiC构成；本实用新型结构简单，其中固定杆具备低逸出功、耐高温和不易形变的特点，具备稳定性，同时钨制成的阴极本体也具备耐高温性，使整个低逸出功阴极结构稳定。

摘要： 本实用新型涉及超低逸出功材料技术领域，具体涉及一种具有超低逸出功的阳极，它包括单晶硅层、HfO

摘要： 本实用新型公开了一种金属逸出功的测量装置。包括：直流电源(1)、可变电阻器(2)、光电管(3)、光电管阳极(4)、光电管阴极(5)、电阻(6)、单片机(7)、LCD液晶显示器(8)。光电管阳极(4)和光电管阴极(5)之间的电压信号U