电场诱导直接生长碳纳米管技术研究

摘要

本文将电场诱导与热化学气相沉积(CVD)直接生长技术相结合,在合金基底上得到了垂直排列的多壁碳纳米管(MWNT)薄膜,MWNT直径约50 nm、长度约2～3μm.施加电场生长的MWNT的晶体性优于未加电场生长的MWNT,它们的拉曼光谱中D峰与G峰强度比值ID/IG平均值分别为0.76和0.87.垂直排列的MWNT与随机排列的MWNT的开启电场分别为3.0 V/μm和3.8 V/μm;在相同的测试电场下,前者有更高的场发射电流密度,低电流发射稳定性良好,但是MWNT相对密集,电场屏蔽效应较强.采取措施进一步调节MWNT的间距,将有助于提升发射电流密度.