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冯焱; 张建军; 张涤新;
兰州物理研究所,甘肃,兰州,730000;
漏率校准; 渗氦型漏孔;
机译:漏漏:使用实时3D经食道引导关闭挡板漏孔的病例报告
机译:从液氦到室温的Si MOS晶体管漏极电流建模的通用迁移率定律
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机译:氦质谱细漏试验的漏率公式及判据研究
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:晚期3b型内漏模仿血管内主动脉瘤修复后的2型内渗
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机译:氦铁,铁离子和铂离子注入对铁膜渗氢的影响。
机译:变更影响研究支持程序,变更影响研究支持设备和变更影响研究支持方法
机译:变更影响研究支持变更影响研究支持计划以及变更影响研究支持设备
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