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SiC薄膜材料理论模拟研究的动态

     
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摘要

SiC因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料.综述了SiC材料的理论研究现状和发展趋势,并对研究方法和结果进行了简要的评述.

著录项

  • 来源
    《真空与低温》|2010年第1期|1-5|共5页
  • 作者

    盖志刚; 罗崇泰; 陈焘; 张平;

  • 作者单位

    兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000;

    兰州物理研究所,表面工程技术国家级重点实验室,甘肃,兰州,730000;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜物理学;
  • 关键词

    SiC材料; 理论模拟; 研究现状; 发展趋势;

  • 入库时间 2023-07-25 22:37:44

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