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基于IGCT的高压三电平变频器失效机理及保护策略

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摘要

在分析了三电平变频器拓扑结构特点和IGCT结构特性的基础上,讨论了基于IGCT的高压三电平变频器失效机理及保护策略,提出了针对IGCT的全保护概念.对其安全运行区域进行了详尽的分析,结合实例给出定量的安全区域设计原则和相应的保护措施.

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来源
《电工技术学报》|2006年第5期|1-618|共7页
作者
赵争鸣; 张海涛; 袁立强; 白华; 杨志;
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作者单位

清华大学电机系电力系统国家重点实验室,北京,100084;

清华大学电机系电力系统国家重点实验室,北京,100084;

清华大学电机系电力系统国家重点实验室,北京,100084;

清华大学电机系电力系统国家重点实验室,北京,100084;

清华大学电机系电力系统国家重点实验室,北京,100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变压器、变流器及电抗器;
关键词
高压变频器; 三电平; IGCT; 失效机理; 保护策略;

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