碳化硅“体”二极管和“外部”SBD的关断过程对比

摘要

引言近年来,半导体行业最为火热的话题非宽禁带半导体莫属,如碳化硅(SiC)。由于其优越的物理和电气特性,如高能量带陳(eV),高临界击穿场强(MV/cm)和高热导率(W/cm·K)等,在硅基半导体叱咤风云数十载的情况下逐渐活跃在大众视野。