二氧化硅晶面对甲基铝氧烷吸附行为分析

摘要

cqvip:采用Material Studios对二氧化硅形成的三种晶面进行计算,并模拟甲基铝氧烷(MAO)在不同晶面产生的吸附行为。结果表明,当形成不同的晶面时,二氧化硅晶体的带宽变宽,表明频带中电子的有效质量越小,非局域性越大,并且频带的原子轨道扩展越强。MAO在SiO2(100)面吸附形成的带隙为0.016eV,在Si(110)面吸附形成的带隙为0.086eV,而在SiO2(111)面形成的带隙为0.180eV,表明MAO在SiO2(111)面产生的吸附最强。MAO在SiO2(111)形成的吸附行为与自由羟基形成映衬,而自由羟基的减少是由桥连羟基随机缩合反应导致。