我国科学家在低维拓扑超晶格中可调控的自旋输运研究中取得重要进展

摘要

自旋流的产生、操控与探测是自旋电子学研究的核心内容。目前人们致力于寻找、设计出高自旋流—电荷流相互转化、高电导率的强自旋轨道耦合材料,以期实现具有超低功耗的自旋电子学器件。然而对于大多数具有单一表面态的三维拓扑绝缘体来说,它们的自旋流到电荷流转化效率(λIEE)仍旧相对较小,亟待提高。