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王致远; 李发明; 刘方楠;
重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065;
InGaAs雪崩光电二极管; 吸收区倍增区渐变分离-雪崩光电二极管; 光谱响应范围; 响应度; 暗电流;
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机译:四象限探测器线性测量范围的定位算法和方法研究
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机译:InGaAs / InP PIN光电探测器的材料表征
机译:基于四象限探测器的激光跟踪定位系统光斑位置检测的改进方法
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机译:正常入射高性能p型应变层InGaas / alGaas和Gaas / alGaas量子阱红外光电探测器的研究
机译:InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
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