InGaAs/InP APD探测器光电特性检测

摘要

建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统.利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试.测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151nA,在直径500μm的光敏面上其光响应均匀性良好.提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子.通过该方法得到的InGaAs/InP APD器件最大倍增因子的典型值在10~100量级.