Facultad de Ingenieria Mecanica y Electrica, U. A. de C. Torreon, C.P. 27000, Mexico;
rnCSIC- Institute for applied physics, Madrid, C.P. 28006, Spain;
rnFacultad de Ingenieria Mecanica y Electrica, U. A. de C. Torreon, C.P. 27000, Mexico;
rnFacultad de Ingenieria Mecanica y Electrica, U. A. de C. Torreon, C.P. 27000, Mexico;
National Institute for Astrophysics, Optics Electronics (INAOE) A.P. 51 y 216, Puebla, 72000, Mexico;
spectral responsitivy; InGaAs/InP photodiodes;
机译:生长温度和缓冲方案对基于InP的变质InGaAs光电探测器性能的影响
机译:高响应度InP-InGaAs量子阱红外光电探测器:特性和焦平面阵列性能
机译:基于InP–InGaAs HPT的光注入锁定自振荡光电混合器的特性及其对光纤无线系统性能的影响
机译:InGaAs / InP光电探测器的一些光电子特性研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:深能级陷阱及其对InP / InGaAs异质结构电流特性影响的研究
机译:InGaAs / InP光电探测器的一些光电特性的研究