硝苯地平控释包芯片的制备与体外释放度考察

摘要

目的 制备硝苯地平(Nifedipine,NF)包芯片,并考察其体外释放行为.方法 以释放度和工艺参数为指标,通过单因素试验确定辅料种类并完成初步处方筛选,采用正交试验优化得到最优处方.考察不同处方、不同介质条件对释放度的影响.结果 内芯片选择HPC-L作为骨架材料,其与填充剂的比例为2:3;外层片选择HPC-L与HPC-M以3:1的比例联用;尤特奇RS PO用量为24％.所制备包芯片在各介质中的释放曲线均与参比制剂相似,f2大于50.结论 所制备的包芯片具有双相释药行为,且工艺稳定可重现,具有良好的应用前景.