高阻高BsNiCuZn铁氧体材料的制备

摘要

为保证差模干扰抑制器的温度稳定性以及在35mA大直流偏置下器件具有较高的偏置电感量和阻抗值，要制备出高阻高Bs的NiCuZn铁氧体材料。为此通过改变主成分配方中ZnO及Fe2O3的百分含量，掺入适最Co2O3，制备出起始磁导率μi为770，饱和磁感胞强度Bs为388mT，居里温度Tc≥190℃，电阻率≥1×10^8Ω·cm的NiCuZn铁氧体材料。