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仲丁醇反溶剂法中添加D4TBP钝化MAPbI3薄膜缺陷的研究

     

摘要

将D-4-叔丁基苯丙铵酸(D4TBP)添加到仲丁醇反溶剂中,利用仲丁醇对MAPbI3晶界缺陷的强渗透性,实现对缺陷的充分定向钝化。结果表明,器件的开路电压和填充因子都有明显提升,将器件的平均能量转换效率从17.12%提高到19.05%。D4TBP材料有效钝化钙钛矿薄膜的表面及晶界处的缺陷,从而减少缺陷浓度和降低陷阱能级深度,抑制了钙钛矿薄膜中载流子的无辐射复合。这是因为铵基、羧基及4-叔丁基苯基官能团系统钝化钙钛矿多晶薄膜中卤素阴离子、金属阳离子等众多缺陷的结果。

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