表面覆膜法氢敏元件的研制及其选择性的研究

摘要

本文介绍了采用表面修饰技术，利用气敏元件表面覆盖生长的ＳｉＯ２分子膜的滤过作用，得到高选择性ＳｎＯ２半导体Ｈ２敏感元件的方法，并对元件的特性及机理进行了分析。