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表面覆膜SnO_2半导体氢敏元件

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摘要

在制备烧结体SnO_2半导体气敏元件的基础上,对元件表面进行了覆膜处理,得到具有高选择性的氢气敏感元件。

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来源
《传感器与微系统》 |1991年第1期|31-34|共4页
作者
穆宝贵; 黎丽琳;
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作者单位

哈尔滨通江晶体管厂;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类敏感器件;
关键词
SnO2; 半导体; 氢敏器件; 气敏器件;

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