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孙承松; 李云鹏;
不详;
溅射; 电气性能; 二氧化硅薄膜;
机译:改进了SiO2掺杂铟锌氧化锌薄膜晶体管的电气性能
机译:在IR / TIW / SiO2 / Si基板上溅射IR / TIW / SiO2 / Si基板的重型Nb掺杂Pb(Zr,Ti)O-3薄膜的原位域形成的起源
机译:溅射生长锗掺杂的SiO2(Gex(SiO2)1-x)薄膜产生二次谐波
机译:Bi_(3.25)LA_(0.75)TI_3O_(12)薄膜的电气性能,具有R.F的各种晶粒取向的薄膜。磁控溅射
机译:多晶硅和SiO2薄膜的非Prestonian RRs和残余应力对各种类型的SiO2和Si 3N4薄膜的RRs的影响。
机译:用于倒钙钛矿太阳能电池的射频溅射无掺杂氧化镍薄膜的工程光学和电气性能
机译:溅射溅射Ge掺杂的SiO2(Gex(SiO2)1x)薄膜产生二次谐波
机译:溅射铌硅化物在siO2,si3N4和N +多晶硅上的薄膜特性
机译:SiO2薄膜沉积方法相同的SiO2薄膜沉积方法。
机译:用于形成磁性薄膜的镍铁合金溅射靶材,用于制造磁性薄膜的镍铁合金溅射靶材和用于形成磁性薄膜的镍铁合金溅射靶材
机译:电阻材料,形成电阻薄膜的溅射靶材,电阻薄膜和薄膜电阻器以及形成电阻薄膜的溅射靶材的制造方法和电阻薄膜的制造方法
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