半导体锗中60°核位错的电子结构

摘要

本文依据位错的弹性理论建立半导体锗中６０°棱位错模型，用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法计算包含与不包含位错时原子团平均态密度、位错芯及其近邻原子的局域态密度、轨道电子数及原子价，得出了锗中６０°棱位错附近的局域电子结构，并讨论了其对锗光学和电学性质的影响。