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杨洪星; 吕菲; 赵权; 刘春香;
电子四十六所;
砷化镓; 总厚度变化; 抛光处;
机译:有源区域的作用厚度harakteristikipoluprovodnikovyh基于asimmetrichnyhgeterostruktur激光器的AlGaAs /砷化镓/砷化铟镓Ç加宽波导
机译:砷化镓砷化镓镓砷缺陷特征的密度泛函理论研究
机译:在砷化铟镓/磷化铟和砷化镓衬底上生长的自组装砷化铟纳米结构形成的有力研究
机译:几层砷化镓厚度变化对激子吸收的抑制作用
机译:研究砷化铟/砷化镓和砷化铟镓/砷化镓自组装量子点的非线性光学性质。
机译:用相对变化总规范化在小型静脉成像系统中使用相对变化总规范的手工成像的静脉静脉网络性能评价:试验研究
机译:单晶镓砷化镓延性钻石转动的根本研究
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓中电子和空穴高能迁移的理论研究。
机译:双半导体异质二极管激光器-具有相反电导率和指定厚度的砷化镓和砷化铝镓层
机译:CPD。用于改进的发光二极管的半导体衬底-在顶部或外延层上具有外延砷化镓-磷化物层,并具有结合了逐步和阶梯组合的改进的晶格匹配。变化
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