英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40V装置

摘要

当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司通过专注于强化元器件产品达到系统创新,来应对这一挑战。继2月份推出25V装置后,英飞凌又推出了OptiMOS 40V低电压功率MOSFET,采用源极底置(SD,Source-Down)PQFN封装,尺寸为3.3mm×3.3mmo这款40V SD MOSFET适用于服务器的SMPS、电信和OR-ing,还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。