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郑畅;
导通电阻 占位面积 PowerPAK SC-70 Vishay 栅极驱动 电子产品 能源效率 移动计;
机译:20V MOSFET的占地面积为2×2mm
机译:高耐压功率MOSFET(SuperMESH)技术和应用示例:介绍采用小封装安装的高耐压功率MOSFET,其导通电阻降低
机译:2mm×2mm和25cm〜2蛇形流动通道质子交换膜燃料电池数值研究
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:PTV边缘减少(2mm至0mm)对孤立脑转移的立体定向放射治疗假冒突出的影响
机译:腹腔镜经腹腔疝疝气通过最小的顶叶伤口修复(2mm,5mm,2mm)
机译:缩小竞争差距:aTp 2mm项目的回顾性分析
机译:包括垂直双扩散MOSFET的功率半导体器件,每个MOSFET单位面积的导通电阻都很低
机译:采用弯月形慢轴准直器的高功率激光二极管封装,可减少二极管封装的占位面积或提高激光输出亮度
机译:具有自对准特征的沟槽MOSFET结构,可节省掩模并降低导通电阻
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