振动环境下碳化硅电容式压力传感器的零漂分析方法

摘要

通过时域仿真和振动测试的分析方法,研究分析振动环境下碳化硅(SiC)电容式压力传感器的零漂。在振动仿真中,将频域信号转换成时域信号,采用有限元分析软件ANSYS,对碳化硅电容式压力传感器进行正弦扫描、随机振动和冲击仿真分析,从形变计算得到传感器的仿真零漂。在振动测试中,分别在传感器施加随机振动、正弦扫描和冲击等载荷,测试得传感器振动前后的电压,计算出测试零漂。研究结果表明冲击振动环境中传感器的零漂最大,正弦扫描振动环境中传感器的零漂最小。当传感器的最小固有频率远大于最大振动频率时,研究发现振动试验的零漂主要与振动量级有关。