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伍志雄;
西安卫光科技有限公司 陕西西安710065;
高结温; 硅堆; SiC; 陶瓷封装;
机译:烧结温度对Al-SiC复合材料组织和性能的影响/烧结温度对Al-SiC复合材料组织和性能的影响。
机译:烧结温度对含硅添加剂C-B4C-SiC复合材料结构的影响
机译:基于高功率和高结温SIC的电力封装的开发
机译:后硅效价4材料的DFT及相关建模:SIC和GE
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:合成1,1'-BIS(1-甲基/氯-2,3,4,5-四苯基-1-硅酰键基苯基)来自硅孔的PH4C4SI(ME / CL) - (ME / CL)SIC4PH4 MESIC4PH4 - •Li +或Na +和硅孔Dianion SiC4PH4 2-•2 Li +;硅孔Mesic4ph4 - 氯化亚铁(FECL2)的氧化偶联Mesic4ph4 - •Li +或Na +和氧池Dianion的氧化偶联和氯化铜氯化铜(CuCl2)
机译:使用碳化硅(siC)交付订单开发高温,高功率,高效率,高压转换器订单0003:siC高压转换器,用于siC功率器件的N型欧姆合同开发
机译:制造表面改性的单晶SiC基质,具有表观生长层的单晶SiC基质,半导体芯片,用于单晶SiC增长的种子基质以及多晶硅SiC基质的制造方法
机译:调节硅的颗粒分布的反应烧结硅氮化物及其制造方法,可通过混合硅的不同分布颗粒来降低烧结温度
机译:SiC被覆硅质材料的制造方法以及SiC被覆硅质材料
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