极大规模集成电路平坦化工艺与材料--河北工业大学刘玉岭教授研究成果

摘要

随着微电子技术进入65nm及以下技术节点，集成电路布线层数已达10层以上，布线间介质使用Low K介质，每层都必须进行化学机械抛光（CMP），使平整度达到纳米级、粗糙度达埃米级的光刻要求，需要低机械强度（1Psi以下）完成CMP，实现表面全局和局部的高平整、低粗糙度、低缺陷密度和高洁净度。多年来我国在多层铜布线以及ULSI硅衬底单晶片CMP技术专用材料方面长期受美、日控制和制约，而且目前占国际市场65%以上的酸性抛光液存在亟待解决的多项技术难题，如抛光液腐蚀设备、添加有毒副作用大的增膜剂BTA（提高凸凹选择性）引起的速率低、布线膜易脱落、抛光液粘度大、加工后难清洗等问题，所以CMP抛光液成为目前微电子技术发展中的关键材料之一。