PLD法在透明石英单晶（100）上制备高取向KTN薄膜

摘要

Sol-Gel法制备KTN多晶粉末,在富氧气氛下烧结富钾KTN陶瓷,代替KTN 单晶作为靶材,用PLD技术在透明石英单晶（100）基片上制备高取向透明KTN薄膜.受石英单晶热应力限制,沉积对基片温度为300℃,远低于在P-Si（100）制备时的基片温度560℃.XRD 分析表明,所制薄膜为非晶态,通过提高脉冲激光能量密度结合后期退火的方法使非晶态薄膜转化为晶态,最佳激光能量密度和退火温度分别为2.0J/cm2和600℃.探讨了PLD技术在低衬底温度下成膜的机理,分析退火温度对薄膜钙矿相形成和晶粒取向的影响,给出透明石英单晶（100）基片上制备高取向KTN薄膜的最佳工艺.