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含Se空位Sb2Se3的第一性原理研究

         

摘要

本文基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法,对Sb2Se3材料的光电特性进行理论分析.计算结果表明,Se空位的存在使得材料的禁带宽度变窄,并在禁带中引入新的能级.随着Se空位数量的增加,禁带宽度不断减小,材料禁带中的新能及数目逐渐变多,总态密度曲线整体有向低能端移动的趋势,最终导致含Se空位的Sb2Se3材料吸收光谱红移,透射率呈下降趋势.

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